分光された光のエネルギーが意図したエネルギーと違ってしまうのは、 何らかの理由で分光器に対する光の入射、出射の角度が変わった時だと考えられる。
(他には、分光結晶の面間隔、回折格子の格子間隔の変化も考えられる。 Si の線膨張係数を $4.15 \times 10^{-6}$ [$K^{-1}$] とすると、 20℃の温度変化があったとき $1+1\times10^{-4}$ 程度の変化になり、 以下で議論する 0.1[eV]相当の変化を生む)

分光器に入射する光の角度が変わると、反射される(され得る)光のエネルギーが変わる。 その度合いは、分光器の角度 / 分光された光のエネルギーによって変わる。

Si(111) 分光結晶 ( $d = 3.1355316$ [Å] とする ) を考えると、1eV の変化に対応する角度の変化は次の表のようになる。

ひと目見てわかるのはエネルギー依存性が大きいことで、 5keV 付近と 25keV 付近では、実に 30 倍近く角度変化に対する変動量が違う (高エネルギーほど敏感)。 またいずれにしても、数$\mu$rad から数$\mu$rad$ 程度の角度変化で 1eV 程度の影響があることがわかる。

光の波長 $\lambda$ [Å] と、エネルギー $E$ [eV] は、 \[ A = \frac{2\pi\hbar c}{e} = 12.39842436 \times 1000$ \]

という定数を介して $E = A / \lambda$ まはた $\lambda = A / E$ という関係にある。

$E$、$\lambda$ の単位が変わった場合の $A$ の値は次の通り。